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◎113年台鐵招考-第十階電子學概要

等別：第十階
類科：專業科目
科目：113年台鐵招考-第十階電子學概要
考試時間： 1 小時

試題1：所謂第四代電子計算機，是以何種電子元件為主？

(A). 真空管
(B). 電晶體
(C). 積體電路
(D). 超大型積體電路

【113年台鐵招考-第十階電子學概要--113年台鐵招考-第十階電子學概要】

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試題2：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題3：在同一材料中，電子移動較電洞

(A). 快
(B). 慢
(C). 一樣
(D). 無法比較

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試題4：矽晶體在常溫時，價帶與傳導帶間之能隙為何值？

(A). 0.67Ev
(B). 1.1eV
(C). 0.9eV
(D). 0.75eV

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試題5：就二極體1N4001、1N4002、1N4003和1N4004而言，依據其規格特性，下列敘述何項不正確？

(A). 其額定電流皆為1A
(B). 1N4001之最大逆向電壓為50V
(C). 1N4004之最大逆向電壓為最大
(D). 1N4001之額定電流遠大於1N4004

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試題6：在本質半導體中加入硼元素，可成為

(A). P型半導體
(B). N型半導體
(C). 導體
(D). 無任何作用

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試題7：五價雜質的目的為

(A). 增加電洞數目
(B). 建立少數載子
(C). 增加電子數目
(D). 減少半導體的導電性

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試題8：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題9：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題10：共射極電晶體電路中，若射極電流為5mA，基極電流為0.1mA，則此電路的電流增益為

(A). 49
(B). 50
(C). 51
(D). 52

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試題11：一共基極放大電路，若電流增益α＝0.96，輸入電阻為200歐姆，負載電阻為200kΩ，則電路之電壓增益為

(A). 960
(B). 1920
(C). 2880
(D). 3840

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試題12：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題13：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題14：某一個三級串接的放大電路，各級的電壓增益依序為–3、–5與–2，則該放大電路的總電壓增益為

(A). 10
(B). –10
(C). 30
(D). –30

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試題15：有關串級放大器實驗，下列敘述何者錯誤？

(A). 串級放大器可用來達到較大的電流增益需求
(B). 達靈頓電路屬於直接耦合串級放大器
(C). 以同一放大器串接成串級放大器，其頻寬依串級數的增加而以固定比例下降
(D). 串級放大器可用來達到較大的電壓增益需求

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試題16：下列敘述何者錯誤？

(A). MOSFET電晶體為單極性（Unipolar）電晶體
(B). BJT電晶體為雙極性（Bipolar）電晶體
(C). 一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小
(D). MOSFET電晶體為一種電流控制元件

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試題17：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題18：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題19：類比開關（Analog Switch）的功能是控制類比信號通過或不通過。下列哪種半導體元件不適合作為類比開關使用？

(A). P通道金氧半場效電晶體
(B). n通道金氧半場效電晶體
(C). 二極體
(D). 互補型金氧半場效電晶體

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試題20：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題21：下列對CMOS的敘述，何者錯誤？

(A). CMOS的一般工作電壓約為3 ∼ 15V
(B). CMOS的扇出（Fan Out）數很高
(C). CMOS NOR閘，部分不用的輸入端最好接到Vᴅᴅ端
(D). CMOS的傳輸延遲時間比TTL長

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試題22：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題23：下列何者為非電壓控制型元件？

(A). BJT
(B). E-MOSFET
(C). D-MOSFET
(D). JFET

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試題24： MOSFET工作偏壓設計時，欲使輸出信號與輸入信號呈線性比例放大，則應設計於何種工作區域？

(A). 非夾止區
(B). 飽和區
(C). 截止區
(D). 歐姆區

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試題25：共源極(CS)放大電路中，下列敘述何者錯誤？

(A). 輸出端為汲極(D)
(B). 輸入端為閘極(G)
(C). 共源極放大電路又稱為源極隨耦器
(D). 輸出訊號與輸入訊號為反相

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試題26：電子元件發展時期不包含下列何者？

(A). 半導體時期
(B). 真空管時期
(C). 積體電路時期
(D). 人工智慧時期

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試題27：下列MOSFET組態電路中，何種組態之高頻響應較佳？

(A). 共源極組態
(B). 共汲極組態
(C). 共閘極組態
(D). 共基極組態

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試題28：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題29：下面關於基本交流波形成分的敘述何者正確？

(A). 方波的波形成分由正弦波加上它的偶次諧波所組成
(B). 正弦波是由所有的諧波所組成
(C). 三角波的波形成分由正弦波加上它所有的奇次諧波所組成
(D). 鋸齒波的波形成分由正弦波加上它的奇次諧波與偶次諧波所組成

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試題30：積體電路的特徵是

(A). 重量重
(B). 體積大
(C). 價格高昂
(D). 價格降低

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試題31：超大型積體電路簡稱為

(A). TRIAC
(B). VLSI
(C). SCR
(D). FET

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試題32： LSI是指在一個晶片上的邏輯數目至少有

(A). 50個
(B). 100個
(C). 600個
(D). 700個

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試題33：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題34：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題35：整流電路主要是用來

(A). 讓交流電壓降壓
(B). 使波形更為平坦更接近直流
(C). 將交流變成脈動直流
(D). 穩定輸出供給負載

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試題36：直流供應器電路裡，為了使交流變成直流，要依序經過哪些過程？

(A). 變壓、濾波、整流、穩壓
(B). 變壓、整流、濾波、穩壓
(C). 整流、變壓、濾波、穩壓
(D). 穩壓、整流、濾波、變壓

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試題37：電壓調整率指的是

(A). 負載電壓與電源電壓的比值
(B). 電源內阻電壓與負載電壓的比值
(C). 電源電壓與負載電壓的比值
(D). 電源內阻電壓與電源電壓的比值

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試題38：二極體不具備下列何種特性？

(A). 濾波
(B). 整流
(C). 檢波
(D). 放大

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試題39：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題40：電晶體各接腳區的摻雜濃度之關係為

(A). E＞B＞C
(B). B＞E＞C
(C). C＞E＞B
(D). E＞C＞B

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試題41：某電路能允許信號中的高頻成份通過，抑制低頻或直流成份，則此電路為何種濾波器？

(A). 低通濾波器
(B). 高通濾波器
(C). 帶阻濾波器
(D). 帶通濾波器

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試題42：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題43：在製作電晶體時，單一顆電晶體無法代替下列何種元件？

(A). 電阻
(B). 二極體
(C). 電容
(D). 電感

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試題44： NPN型BJT工作於飽和區時，下列敘述何者正確？

(A). 集極電流與基極電流成正比
(B). 適合作為訊號放大
(C). 相同集極電流下，BJT消耗功率比工作於主動區小
(D). 基-射極與基-集極間均為逆向偏壓

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試題45：電晶體交換電路的速率，主要是由什麼極所儲藏的少數載子放電速率來決定？

(A). 基極
(B). 射極
(C). 集極
(D). 集極和射極

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試題46：有一電晶體放大電路，其電壓增益、電流增益、功率增益皆高，且輸出電壓與輸入電壓相差180°。請問是屬下列何種放大電路組態？

(A). 共射極放大器
(B). 共集極放大器
(C). 射極隨耦器
(D). 共基極放大器

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試題47：有射極隨耦器之稱的電晶體組態是

(A). 共基極電路
(B). 共射極電路
(C). 共集極電路
(D). 共汲極電路

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試題48：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

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試題49：增強型n通道MOSFET若工作在主動區則

(A). 閘汲極正電壓，閘源極正電壓
(B). 閘汲極正電壓，閘源極負電壓
(C). 閘汲極負電壓，閘源極正電壓
(D). 閘汲極負電壓，閘源極負電壓

【113年台鐵招考-第十階電子學概要--113年台鐵招考-第十階電子學概要】

★正確答案： (B)
★難度分析：尚無資料

★統計：

(A) 0
(B) 0
(C) 0
(D) 0

◎「大東海名師」解析

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試題50：

(A). A
(B). B
(C). C
(D). D

【113年台鐵招考-第十階電子學概要--113年台鐵招考-第十階電子學概要】

★正確答案： (D)
★難度分析：尚無資料

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◎113年台鐵招考-第十階電子學概要

等別：第十階 類科：專業科目 科目：113年台鐵招考-第十階電子學概要 考試時間： 1 小時

試題1： 所謂第四代電子計算機，是以何種電子元件為主？

試題2：

試題3： 在同一材料中，電子移動較電洞

試題4： 矽晶體在常溫時，價帶與傳導帶間之能隙為何值？

試題5： 就二極體1N4001、1N4002、1N4003和1N4004而言，依據其規格特性，下列敘述何項不 正確？

試題6： 在本質半導體中加入硼元素，可成為

試題7： 五價雜質的目的為

試題8：

試題9：

試題10： 共射極電晶體電路中，若射極電流為5mA，基極電流為0.1mA，則此電路的電流增益為

試題11： 一共基極放大電路，若電流增益α＝0.96，輸入電阻為200歐姆，負載電阻為200kΩ，則 電路之電壓增益為

試題12：

試題13：

試題14： 某一個三級串接的放大電路，各級的電壓增益依序為–3、–5與–2，則該放大電路的總電 壓增益為

試題15： 有關串級放大器實驗，下列敘述何者錯誤？

試題16： 下列敘述何者錯誤？

試題17：

試題18：

試題19： 類比開關（Analog Switch）的功能是控制類比信號通過或不通過。下列哪種半導體元件 不適合作為類比開關使用？

試題20：

試題21： 下列對CMOS的敘述，何者錯誤？

試題22：

試題23： 下列何者為非電壓控制型元件？

試題24： MOSFET工作偏壓設計時，欲使輸出信號與輸入信號呈線性比例放大，則應設計於何種 工作區域？

試題25： 共源極(CS)放大電路中，下列敘述何者錯誤？

試題26： 電子元件發展時期不包含下列何者？

試題27： 下列MOSFET組態電路中，何種組態之高頻響應較佳？

試題28：

試題29： 下面關於基本交流波形成分的敘述何者正確？

試題30： 積體電路的特徵是

試題31： 超大型積體電路簡稱為

試題32： LSI是指在一個晶片上的邏輯數目至少有

試題33：

試題34：

試題35： 整流電路主要是用來

試題36： 直流供應器電路裡，為了使交流變成直流，要依序經過哪些過程？

試題37： 電壓調整率指的是

試題38： 二極體不具備下列何種特性？

試題39：

試題40： 電晶體各接腳區的摻雜濃度之關係為

試題41： 某電路能允許信號中的高頻成份通過，抑制低頻或直流成份，則此電路為何種濾波器？

試題42：

試題43： 在製作電晶體時，單一顆電晶體無法代替下列何種元件？

試題44： NPN型BJT工作於飽和區時，下列敘述何者正確？

試題45： 電晶體交換電路的速率，主要是由什麼極所儲藏的少數載子放電速率來決定？

試題46： 有一電晶體放大電路，其電壓增益、電流增益、功率增益皆高，且輸出電壓與輸入電壓 相差180°。請問是屬下列何種放大電路組態？

試題47： 有射極隨耦器之稱的電晶體組態是

試題48：

試題49： 增強型n通道MOSFET若工作在主動區則

試題50：

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主選單

等別：第十階
類科：專業科目
科目：113年台鐵招考-第十階電子學概要
考試時間： 1 小時

試題1：所謂第四代電子計算機，是以何種電子元件為主？

試題3：在同一材料中，電子移動較電洞

試題4：矽晶體在常溫時，價帶與傳導帶間之能隙為何值？

試題5：就二極體1N4001、1N4002、1N4003和1N4004而言，依據其規格特性，下列敘述何項不正確？

試題6：在本質半導體中加入硼元素，可成為

試題7：五價雜質的目的為

試題10：共射極電晶體電路中，若射極電流為5mA，基極電流為0.1mA，則此電路的電流增益為

試題11：一共基極放大電路，若電流增益α＝0.96，輸入電阻為200歐姆，負載電阻為200kΩ，則電路之電壓增益為

試題14：某一個三級串接的放大電路，各級的電壓增益依序為–3、–5與–2，則該放大電路的總電壓增益為

試題15：有關串級放大器實驗，下列敘述何者錯誤？

試題16：下列敘述何者錯誤？

試題19：類比開關（Analog Switch）的功能是控制類比信號通過或不通過。下列哪種半導體元件不適合作為類比開關使用？

試題21：下列對CMOS的敘述，何者錯誤？

試題23：下列何者為非電壓控制型元件？

試題24： MOSFET工作偏壓設計時，欲使輸出信號與輸入信號呈線性比例放大，則應設計於何種工作區域？

試題25：共源極(CS)放大電路中，下列敘述何者錯誤？

試題26：電子元件發展時期不包含下列何者？

試題27：下列MOSFET組態電路中，何種組態之高頻響應較佳？

試題29：下面關於基本交流波形成分的敘述何者正確？

試題30：積體電路的特徵是

試題31：超大型積體電路簡稱為

試題35：整流電路主要是用來

試題36：直流供應器電路裡，為了使交流變成直流，要依序經過哪些過程？

試題37：電壓調整率指的是

試題38：二極體不具備下列何種特性？

試題40：電晶體各接腳區的摻雜濃度之關係為

試題41：某電路能允許信號中的高頻成份通過，抑制低頻或直流成份，則此電路為何種濾波器？

試題43：在製作電晶體時，單一顆電晶體無法代替下列何種元件？

試題45：電晶體交換電路的速率，主要是由什麼極所儲藏的少數載子放電速率來決定？

試題46：有一電晶體放大電路，其電壓增益、電流增益、功率增益皆高，且輸出電壓與輸入電壓相差180°。請問是屬下列何種放大電路組態？

試題47：有射極隨耦器之稱的電晶體組態是

試題49：增強型n通道MOSFET若工作在主動區則